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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRSF010P03TL
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RSF010P03TL - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RSF010P03TL
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RSF010P03TL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 1A TUMT3
Description détaillée
Emballage
3-SMD, Flat Leads
Fiche technique
RSF010P03 Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 65070

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RSF010P03TL
Rohm Semiconductor - RSF010P03TL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RSF010P03TL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TUMT3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 800mW (Ta)  
Package / Boîte 3-SMD, Flat Leads  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 120 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.9 nC @ 5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1A (Ta)  
Numéro de produit de base RSF010  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RSF010P03TL

Attributs du produit RSF010P03TL IXUN280N10 RSF015N06TL STW26NM60
Modèle de produit RSF010P03TL IXUN280N10 RSF015N06TL STW26NM60
Fabricant Rohm Semiconductor IXYS Rohm Semiconductor STMicroelectronics
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.9 nC @ 5 V 440 nC @ 10 V 2 nC @ 5 V 102 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1A (Ta) 280A (Tc) 1.5A (Ta) 30A (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Séries - - - MDmesh™
Numéro de produit de base RSF010 IXUN280 RSF015 STW26N
Tension drain-source (Vdss) 30 V 100 V 60 V 600 V
Package composant fournisseur TUMT3 SOT-227B TUMT3 TO-247-3
Dissipation de puissance (max) 800mW (Ta) 770W (Tc) 800mW (Ta) 313W (Tc)
Package / Boîte 3-SMD, Flat Leads SOT-227-4, miniBLOC 3-SMD, Flat Leads TO-247-3
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 1A, 10V 5mOhm @ 140A, 10V 290mOhm @ 1.5A, 10V 135mOhm @ 13A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 120 pF @ 10 V 18000 pF @ 25 V 110 pF @ 10 V 2900 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 10V 4V, 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Chassis Mount Surface Mount Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id - 4V @ 4mA 2.5V @ 1mA 5V @ 250µA

Fiche technique RSF010P03TL PDF

Téléchargez RSF010P03TL PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RSF010P03TL - Rohm Semiconductor.

Feuilles de données
RSF010P03 Datasheet.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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