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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRRR040P03TL
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RRR040P03TL - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RRR040P03TL
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RRR040P03TL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
Description détaillée
Emballage
SC-96
Fiche technique
RRR040P03TL.pdf
État RoHS
En stock: 344820

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RRR040P03TL
Rohm Semiconductor - RRR040P03TL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RRR040P03TL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TSMT3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)  
Package / Boîte SC-96  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10.5 nC @ 5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Ta)  
Numéro de produit de base RRR040  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RRR040P03TL

Attributs du produit RRR040P03TL IRLS3034-7PPBF IRFB7446GPBF IXFT88N30P
Modèle de produit RRR040P03TL IRLS3034-7PPBF IRFB7446GPBF IXFT88N30P
Fabricant Rohm Semiconductor International Rectifier International Rectifier IXYS
Tension drain-source (Vdss) 30 V 40 V 40 V 300 V
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta) 380W (Tc) 99W (Tc) 600W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10.5 nC @ 5 V 180 nC @ 4.5 V 93 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 250µA 3.9V @ 100µA 5V @ 4mA
Package composant fournisseur TSMT3 D2PAK (7-Lead) TO-220AB TO-268AA
Package / Boîte SC-96 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-220-3 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numéro de produit de base RRR040 - - IXFT88
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 4A, 10V 1.4mOhm @ 200A, 10V 3.3mOhm @ 70A, 10V 40mOhm @ 44A, 10V
Séries - HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™ HiPerFET™, Polar
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Ta) 240A (Tc) 120A (Tc) 88A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 10 V 10990 pF @ 40 V 3183 pF @ 25 V 6300 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -

Fiche technique RRR040P03TL PDF

Téléchargez RRR040P03TL PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RRR040P03TL - Rohm Semiconductor.

Conception / spécification PCN
TSMT Package Updates 24/Dec/2014.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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