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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRRQ020P03TCR
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RRQ020P03TCR - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RRQ020P03TCR
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RRQ020P03TCR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6
Description détaillée
Emballage
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fiche technique
RRQ020P03TCR.pdf
État RoHS
En stock: 236990

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RRQ020P03TCR
Rohm Semiconductor - RRQ020P03TCR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RRQ020P03TCR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TSMT6 (SC-95)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta)  
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.2 nC @ 5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Ta)  
Numéro de produit de base RRQ020  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RRQ020P03TCR

Attributs du produit RRQ020P03TCR IRL3705ZPBF STB20NM50T4 RE1C001UNTCL
Modèle de produit RRQ020P03TCR IRL3705ZPBF STB20NM50T4 RE1C001UNTCL
Fabricant Rohm Semiconductor Infineon Technologies STMicroelectronics Rohm Semiconductor
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta) 130W (Tc) 192W (Tc) 150mW (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±16V ±30V ±8V
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 55 V 550 V 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 10 V 2880 pF @ 25 V 1480 pF @ 25 V 7.1 pF @ 10 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Séries - HEXFET® MDmesh™ -
Package composant fournisseur TSMT6 (SC-95) TO-220AB D2PAK EMT3F (SOT-416FL)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Ta) 75A (Tc) 20A (Tc) 100mA (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.2 nC @ 5 V 60 nC @ 5 V 56 nC @ 10 V -
Numéro de produit de base RRQ020 IRL3705 STB20 RE1C001
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 3V @ 250µA 5V @ 250µA 1V @ 100µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 4.5V, 10V 10V 1.2V, 4.5V
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB SC-89, SOT-490
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 2A, 10V 8mOhm @ 52A, 10V 250mOhm @ 10A, 10V 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V

Fiche technique RRQ020P03TCR PDF

Téléchargez RRQ020P03TCR PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RRQ020P03TCR - Rohm Semiconductor.

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Informations environnementales
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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