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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRJU003N03T106
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RJU003N03T106 - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RJU003N03T106
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RJU003N03T106
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
Description détaillée
Emballage
SC-70, SOT-323
Fiche technique
RJU003N03.pdf
État RoHS
En stock: 428070

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RJU003N03T106
Rohm Semiconductor - RJU003N03T106 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RJU003N03T106

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur UMT3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 300mA, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 200mW (Ta)  
Package / Boîte SC-70, SOT-323  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 24 pF @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 300mA (Ta)  
Numéro de produit de base RJU003  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RJU003N03T106

Attributs du produit RJU003N03T106 RJU002N06T106 RJU6053TDPP RJU003N03T106 MOS
Modèle de produit RJU003N03T106 RJU002N06T106 RJU6053TDPP RJU003N03T106 MOS
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Renesas Electronics Corporation LAPIS Technology
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 24 pF @ 10 V 18 pF @ 10 V - -
Numéro de produit de base RJU003 RJU002 - -
Dissipation de puissance (max) 200mW (Ta) 200mW (Ta) - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 300mA (Ta) 200mA (Ta) - -
Vgs (Max) ±12V ±12V - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur UMT3 UMT3 - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 300mA, 4.5V 2.3Ohm @ 200mA, 4.5V - -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 60 V - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA 1.5V @ 1mA - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
type de FET N-Channel N-Channel - -
Séries - - - -
Package / Boîte SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V - -

Fiche technique RJU003N03T106 PDF

Téléchargez RJU003N03T106 PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RJU003N03T106 - Rohm Semiconductor.

Feuilles de données
RJU003N03.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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