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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRJU002N06T106
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RJU002N06T106 - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RJU002N06T106
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RJU002N06T106
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Description détaillée
Emballage
SC-70, SOT-323
Fiche technique
RJU002N06 Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 238200

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RJU002N06T106
Rohm Semiconductor - RJU002N06T106 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RJU002N06T106

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur UMT3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3Ohm @ 200mA, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 200mW (Ta)  
Package / Boîte SC-70, SOT-323  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 18 pF @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200mA (Ta)  
Numéro de produit de base RJU002  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RJU002N06T106

Attributs du produit RJU002N06T106 RJU003N03T106 RJU002N06FRAT106 RJU6053TDPP
Modèle de produit RJU002N06T106 RJU003N03T106 RJU002N06FRAT106 RJU6053TDPP
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Renesas Electronics Corporation
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V -
Séries - - Automotive, AEC-Q101 -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Dissipation de puissance (max) 200mW (Ta) 200mW (Ta) 200mW (Ta) -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Package composant fournisseur UMT3 UMT3 UMT3 -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA 1.5V @ 1mA 1.5V @ 1mA -
Numéro de produit de base RJU002 RJU003 RJU002 -
Tension drain-source (Vdss) 60 V 30 V 60 V -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 18 pF @ 10 V 24 pF @ 10 V 18 pF @ 10 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3Ohm @ 200mA, 4.5V 1.1Ohm @ 300mA, 4.5V 2.3Ohm @ 200mA, 4.5V -
Package / Boîte SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200mA (Ta) 300mA (Ta) 200mA (Ta) -
Fonction FET - - - -

Fiche technique RJU002N06T106 PDF

Téléchargez RJU002N06T106 PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RJU002N06T106 - Rohm Semiconductor.

Feuilles de données
RJU002N06 Datasheet.pdf

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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