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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRHP020N06T100
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RHP020N06T100 - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RHP020N06T100
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RHP020N06T100
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Description détaillée
Emballage
TO-243AA
Fiche technique
MPT3 T100 Taping Spec.pdf
État RoHS
En stock: 79950

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RHP020N06T100
Rohm Semiconductor - RHP020N06T100 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RHP020N06T100

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur MPT3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta)  
Package / Boîte TO-243AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Ta)  
Numéro de produit de base RHP020  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RHP020N06T100

Attributs du produit RHP020N06T100 2SK2035(T5L,F,T) SIRA80DP-T1-RE3 RHP030N03T100
Modèle de produit RHP020N06T100 2SK2035(T5L,F,T) SIRA80DP-T1-RE3 RHP030N03T100
Fabricant Rohm Semiconductor Toshiba Semiconductor and Storage Vishay Siliconix Rohm Semiconductor
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA - 2.2V @ 250µA 2.5V @ 1mA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur MPT3 SSM PowerPAK® SO-8 MPT3
Numéro de produit de base RHP020 2SK2035 SIRA80 RHP030
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 2.5V 4.5V, 10V 4V, 10V
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V 10V +20V, -16V ±20V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta) 100mW (Ta) 104W (Tc) 500mW (Ta)
Package / Boîte TO-243AA SC-75, SOT-416 PowerPAK® SO-8 TO-243AA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V - 188 nC @ 10 V 6.5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 2A, 10V 12Ohm @ 10mA, 2.5V 0.62mOhm @ 20A, 10V 120mOhm @ 3A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Ta) 100mA (Ta) 100A (Tc) 3A (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 10 V 8.5 pF @ 3 V 9530 pF @ 15 V 160 pF @ 10 V
Séries - - TrenchFET® Gen IV -
Tension drain-source (Vdss) 60 V 20 V 30 V 30 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique RHP020N06T100 PDF

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