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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRHK003N06T146
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RHK003N06T146 - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RHK003N06T146
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RHK003N06T146
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 300MA SMT3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
RHK003N06.pdf
État RoHS
En stock: 264870

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RHK003N06T146
Rohm Semiconductor - RHK003N06T146 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RHK003N06T146

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SMT3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 300mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 200mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 33 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 300mA (Ta)  
Numéro de produit de base RHK003  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RHK003N06T146

Attributs du produit RHK003N06T146 AOT20S60L RHK003N06FRAT146 FCD5N60-F085
Modèle de produit RHK003N06T146 AOT20S60L RHK003N06FRAT146 FCD5N60-F085
Fabricant Rohm Semiconductor Alpha & Omega Semiconductor Inc. Rohm Semiconductor onsemi
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 600 V 60 V 600 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Bulk
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 33 pF @ 10 V 1038 pF @ 100 V 33 pF @ 10 V 570 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Dissipation de puissance (max) 200mW (Ta) 266W (Tc) 200mW (Ta) 54W (Tj)
Numéro de produit de base RHK003 AOT20 RHK003 -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 10V 4V, 10V 10V
Package composant fournisseur SMT3 TO-220 SMT3 TO-252AA
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-220-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V 19.8 nC @ 10 V 6 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 300mA (Ta) 20A (Tc) 300mA (Ta) 4.6A (Tc)
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 300mA, 10V 199mOhm @ 10A, 10V 1Ohm @ 300mA, 10V 1.1Ohm @ 4.6A, 10V
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 4.1V @ 250µA 2.5V @ 1mA 5V @ 250µA
Séries - aMOS™ - Automotive, AEC-Q101, SuperFET™

Fiche technique RHK003N06T146 PDF

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Feuilles de données
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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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