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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRHK003N06FRAT146
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RHK003N06FRAT146 - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RHK003N06FRAT146
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RHK003N06FRAT146
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 300MA SMT3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
RHK003N06FRAT146.pdf
État RoHS
En stock: 250080

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RHK003N06FRAT146
Rohm Semiconductor - RHK003N06FRAT146 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RHK003N06FRAT146

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SMT3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 300mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 200mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 33 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 300mA (Ta)  
Numéro de produit de base RHK003  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RHK003N06FRAT146

Attributs du produit RHK003N06FRAT146 RHK005N03T146 RHK003N06T146 IRFB4410ZPBF
Modèle de produit RHK003N06FRAT146 RHK005N03T146 RHK003N06T146 IRFB4410ZPBF
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Infineon Technologies
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 300mA (Ta) 500mA (Ta) 300mA (Ta) 97A (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 4V @ 150µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 33 pF @ 10 V 45 pF @ 10 V 33 pF @ 10 V 4820 pF @ 50 V
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-220-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipation de puissance (max) 200mW (Ta) 200mW (Ta) 200mW (Ta) 230W (Tc)
Package composant fournisseur SMT3 SMT3 SMT3 TO-220AB
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 60 V 30 V 60 V 100 V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V - 6 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 300mA, 10V 550mOhm @ 500mA, 10V 1Ohm @ 300mA, 10V 9mOhm @ 58A, 10V
Numéro de produit de base RHK003 RHK005 RHK003 IRFB4410
Fonction FET - - - -
Séries - - - HEXFET®

Mode de transport

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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