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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRD3P130SPTL1
RD3P130SPTL1 Image
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RD3P130SPTL1 - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RD3P130SPTL1
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RD3P130SPTL1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
RD3P130SPTL1.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 47140

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques RD3P130SPTL1
Rohm Semiconductor - RD3P130SPTL1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RD3P130SPTL1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 6.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 20W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Ta)  
Numéro de produit de base RD3P130  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RD3P130SPTL1

Attributs du produit RD3P130SPTL1 RD3G600GNTL RD3L080SNFRATL RD3L08BGNTL
Modèle de produit RD3P130SPTL1 RD3G600GNTL RD3L080SNFRATL RD3L08BGNTL
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Tension drain-source (Vdss) 100 V 40 V 60 V 60 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 100µA
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 46.5 nC @ 10 V 9.4 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Ta) 60A (Ta) 8A (Ta) 80A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 25 V 3400 pF @ 20 V 380 pF @ 10 V 3620 pF @ 30 V
Dissipation de puissance (max) 20W (Tc) 40W (Ta) 15W (Tc) 119W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Séries - - Automotive, AEC-Q101 -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 4.5V, 10V 4V, 10V 4.5V, 10V
Package composant fournisseur TO-252 TO-252 TO-252 TO-252
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 6.5A, 10V 3.6mOhm @ 60A, 10V 80mOhm @ 8A, 10V 5.5mOhm @ 80A, 10V
Numéro de produit de base RD3P130 RD3G600 RD3L080 RD3L08
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

Fiche technique RD3P130SPTL1 PDF

Téléchargez RD3P130SPTL1 PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RD3P130SPTL1 - Rohm Semiconductor.

Autres documents connexes
Transistor, MOSFET Flammability.pdf TO-252 Part Marking.pdf
Informations environnementales
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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