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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRD3L140SPTL1
RD3L140SPTL1 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RD3L140SPTL1 - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RD3L140SPTL1
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RD3L140SPTL1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
RD3L140SPTL1.pdf
État RoHS
En stock: 39830

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RD3L140SPTL1
Rohm Semiconductor - RD3L140SPTL1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RD3L140SPTL1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 84mOhm @ 14A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 20W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Ta)  
Numéro de produit de base RD3L140  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RD3L140SPTL1

Attributs du produit RD3L140SPTL1 RD3U080CNTL1 RD3G500GNTL RD3P200SNTL1
Modèle de produit RD3L140SPTL1 RD3U080CNTL1 RD3G500GNTL RD3P200SNTL1
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 10V 4.5V, 10V 4V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Package composant fournisseur TO-252 TO-252 TO-252 TO-252
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base RD3L140 RD3U080 RD3G500 RD3P200
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Ta) 8A (Tc) 50A (Tc) 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 84mOhm @ 14A, 10V 300mOhm @ 4A, 10V 4.9mOhm @ 50A, 10V 46mOhm @ 20A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 60 V 250 V 40 V 100 V
Dissipation de puissance (max) 20W (Tc) 85W (Tc) 35W (Tc) 20W (Tc)
Séries - - - -
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA 5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 10 V 1440 pF @ 25 V 22800 pF @ 20 V 2100 pF @ 25 V

Fiche technique RD3L140SPTL1 PDF

Téléchargez RD3L140SPTL1 PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RD3L140SPTL1 - Rohm Semiconductor.

Autres documents connexes
Transistor, MOSFET Flammability.pdf TO-252 Part Marking.pdf
Informations environnementales
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf

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