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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRCJ330N25TL
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RCJ330N25TL - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RCJ330N25TL
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RCJ330N25TL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 33A LPTS
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
RCJ330N25TL.pdf
État RoHS
En stock: 29297

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RCJ330N25TL
Rohm Semiconductor - RCJ330N25TL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RCJ330N25TL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur LPTS  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 16.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.56W (Ta), 40W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 33A (Tc)  
Numéro de produit de base RCJ330  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RCJ330N25TL

Attributs du produit RCJ330N25TL FDMC610P DMN2044UCB4-7 SI4490DY-T1-E3
Modèle de produit RCJ330N25TL FDMC610P DMN2044UCB4-7 SI4490DY-T1-E3
Fabricant Rohm Semiconductor onsemi Diodes Incorporated Vishay Siliconix
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries - PowerTrench® - TrenchFET®
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur LPTS Power33 U-WLB1010-4 8-SOIC
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V 1250 pF @ 6 V 1400 pF @ 10 V -
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA 1V @ 250µA 900mV @ 250µA 2V @ 250µA (Min)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 33A (Tc) 80A (Tc) 3.3A (Ta) 2.85A (Ta)
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base RCJ330 FDMC610 DMN2044 SI4490
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 2.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 6V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 250 V 12 V 20 V 200 V
Dissipation de puissance (max) 1.56W (Ta), 40W (Tc) 2.4W (Ta), 48W (Tc) 720mW 1.56W (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V 99 nC @ 4.5 V 47 nC @ 8 V 42 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 8-PowerTDFN 4-UFBGA, WLBGA 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 16.5A, 10V 3.9mOhm @ 22A, 4.5V 40mOhm @ 1.5A, 4.5V 80mOhm @ 4A, 10V
Vgs (Max) ±30V ±8V ±8V ±20V

Fiche technique RCJ330N25TL PDF

Téléchargez RCJ330N25TL PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RCJ330N25TL - Rohm Semiconductor.

Autres documents connexes
Transistor, MOSFET Flammability.pdf
Informations environnementales
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf

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