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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRAL025P01TCR
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RAL025P01TCR - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RAL025P01TCR
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RAL025P01TCR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
Description détaillée
Emballage
6-SMD, Flat Leads
Fiche technique
RAL025P01TCR.pdf
État RoHS
En stock: 281840

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RAL025P01TCR
Rohm Semiconductor - RAL025P01TCR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RAL025P01TCR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) -8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TUMT6  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 62mOhm @ 2.5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 320mW (Ta)  
Package / Boîte 6-SMD, Flat Leads  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 6 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 12 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.5A (Ta)  
Numéro de produit de base RAL025  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RAL025P01TCR

Attributs du produit RAL025P01TCR NTP18N06 FQP14N30 APT100F50J
Modèle de produit RAL025P01TCR NTP18N06 FQP14N30 APT100F50J
Fabricant Rohm Semiconductor onsemi onsemi Microchip Technology
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 5mA
Tension drain-source (Vdss) 12 V 60 V 300 V 500 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 62mOhm @ 2.5A, 4.5V 90mOhm @ 7.5A, 10V 290mOhm @ 7.2A, 10V 36mOhm @ 75A, 10V
Package composant fournisseur TUMT6 TO-220 TO-220-3 ISOTOP®
Séries - - QFET® POWER MOS 8™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.5A (Ta) 15A (Tc) 14.4A (Tc) 103A (Tc)
Package / Boîte 6-SMD, Flat Leads TO-220-3 TO-220-3 SOT-227-4, miniBLOC
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 4.5 V 22 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 620 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 320mW (Ta) 48.4W (Tc) 147W (Tc) 960W (Tc)
Numéro de produit de base RAL025 NTP18N FQP14 APT100
Type de montage Surface Mount Through Hole Through Hole Chassis Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Vgs (Max) -8V ±20V ±30V ±30V
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 6 V 450 pF @ 25 V 1360 pF @ 25 V 24600 pF @ 25 V
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique RAL025P01TCR PDF

Téléchargez RAL025P01TCR PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RAL025P01TCR - Rohm Semiconductor.

Autres documents connexes
Transistor, MOSFET Flammability.pdf
Informations environnementales
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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