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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxQH8MA2TCR
QH8MA2TCR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

QH8MA2TCR - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
QH8MA2TCR
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-QH8MA2TCR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
Description détaillée
Emballage
8-SMD, Flat Lead
Fiche technique
QH8MA2TCR.pdf
État RoHS
En stock: 168620

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques QH8MA2TCR
Rohm Semiconductor - QH8MA2TCR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - QH8MA2TCR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TSMT8  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 4.5A, 10V  
Puissance - Max 1.25W  
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 365pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.4nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A, 3A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base QH8MA2  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor QH8MA2TCR

Attributs du produit QH8MA2TCR SI1035X-T1-GE3 SI1926DL-T1-BE3 ZXMN3A06DN8TC
Modèle de produit QH8MA2TCR SI1035X-T1-GE3 SI1926DL-T1-BE3 ZXMN3A06DN8TC
Fabricant Rohm Semiconductor Vishay Siliconix Vishay Siliconix Diodes Incorporated
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead SOT-563, SOT-666 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Package composant fournisseur TSMT8 SC-89 (SOT-563F) SC-70-6 8-SO
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 365pF @ 10V - 18.5pF @ 30V 796pF @ 25V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 400mV @ 250µA (Min) 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA (Min)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.4nC @ 10V 0.75nC @ 4.5V 1.4nC @ 10V 17.5nC @ 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries - TrenchFET® TrenchFET® -
Configuration N and P-Channel N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A, 3A 180mA, 145mA 340mA (Ta), 370mA (Tc) 4.9A
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Puissance - Max 1.25W 250mW 300mW (Ta), 510mW (Tc) 1.8W
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numéro de produit de base QH8MA2 SI1035 SI1926 ZXMN3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 4.5A, 10V 5Ohm @ 200mA, 4.5V 1.4Ohm @ 340mA, 10V 35mOhm @ 9A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V 20V 60V 30V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique QH8MA2TCR PDF

Téléchargez QH8MA2TCR PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour QH8MA2TCR - Rohm Semiconductor.

Autres documents connexes
Transistor, MOSFET Flammability.pdf
Informations environnementales
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf

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Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
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Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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QH8MA2TCR

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