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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (bjt) - tableaux, pré-biaisésEMG11T2R
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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EMG11T2R - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
EMG11T2R
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-EMG11T2R
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Emballage
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Fiche technique
EMG11T2R.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 303660

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques EMG11T2R
Rohm Semiconductor - EMG11T2R Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - EMG11T2R

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA  
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  
Package composant fournisseur EMT5  
Séries -  
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47kOhms  
Résistance - Base (R1) 2.2kOhms  
Puissance - Max 150mW  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte 6-SMD (5 Leads), Flat Lead  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 250MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA  
Numéro de produit de base EMG11  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor EMG11T2R

Attributs du produit EMG11T2R EMG3T2R EMG2DXV5T5 EMG2DXV5T1G
Modèle de produit EMG11T2R EMG3T2R EMG2DXV5T5 EMG2DXV5T1G
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor onsemi onsemi
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 150mV @ 250µA, 5mA 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V 100 @ 1mA, 5V 80 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V 50V 50V 50V
Puissance - Max 150mW 150mW 230mW 230mW
Séries - - - -
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47kOhms - 47kOhms 47kOhms
Numéro de produit de base EMG11 EMG3T2 EMG2DX EMG2DX
Package composant fournisseur EMT5 EMT3 SOT-553 SOT-553
Package / Boîte 6-SMD (5 Leads), Flat Lead SC-75, SOT-416 SOT-553 SOT-553
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA 100mA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA 500nA (ICBO) 500nA 500nA
Résistance - Base (R1) 2.2kOhms 4.7kOhms 47kOhms 47kOhms
Fréquence - Transition 250MHz 250MHz - -

Fiche technique EMG11T2R PDF

Téléchargez EMG11T2R PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour EMG11T2R - Rohm Semiconductor.

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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