Spécifications
Spécifications techniques EMG3T2R
Rohm Semiconductor - EMG3T2R Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - EMG3T2R
| Attributs du produit |
Valeur des attributs
| |
| Fabricant |
LAPIS Technology |
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| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) |
50V |
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| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic |
150mV @ 250µA, 5mA |
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| Transistor Type |
2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
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| Package composant fournisseur |
EMT3 |
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| Séries |
- |
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| Résistance - Base de l'émetteur (R2) |
- |
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| Résistance - Base (R1) |
4.7kOhms |
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| Puissance - Max |
150mW |
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| Attributs du produit |
Valeur des attributs
| |
| Package / Boîte |
SC-75, SOT-416 |
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| Emballer |
Tape & Reel (TR) |
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| Type de montage |
Surface Mount |
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| Fréquence - Transition |
250MHz |
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| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
100 @ 1mA, 5V |
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| Courant - Collecteur Cutoff (Max) |
500nA (ICBO) |
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| Courant - Collecteur (Ic) (max) |
100mA |
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| Numéro de produit de base |
EMG3T2 |
|
Mode de transport
Délai de livraison
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| Pays communs Référence du temps logistique |
| Région |
Pays |
Heure logistique (jour) |
| Amérique |
États-Unis |
5 |
| Brésil |
7 |
| L'Europe |
Allemagne |
5 |
| Royaume-Uni |
4 |
| Italie |
5 |
| Océanie |
Australie |
6 |
| Nouvelle-Zélande |
5 |
| Asie |
Inde |
4 |
| Japon |
4 |
| Moyen-Orient |
Israël |
6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx |
| Frais d'expédition (kg) |
Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Note:
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EMG13P732F512G48DRSilicon Power
EMGD31-08Fujitsu Electronics America, Inc.IGBT Module