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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxEM6M2T2R
EM6M2T2R Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

EM6M2T2R - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
EM6M2T2R
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-EM6M2T2R
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
Description détaillée
Emballage
SOT-563, SOT-666
Fiche technique
EM6M2T2R.pdf
État RoHS
En stock: 212910

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques EM6M2T2R
Rohm Semiconductor - EM6M2T2R Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - EM6M2T2R

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur EMT6  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 200mA, 4V  
Puissance - Max 150mW  
Package / Boîte SOT-563, SOT-666  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200mA  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base EM6M2  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor EM6M2T2R

Attributs du produit EM6M2T2R EM6K33T2R EM6M1T2R EM6K34T2CR
Modèle de produit EM6M2T2R EM6K33T2R EM6M1T2R EM6K34T2CR
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Package composant fournisseur EMT6 EMT6 EMT6 EMT6
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Puissance - Max 150mW 150mW 150mW 120mW
Séries - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 1V @ 1mA - 800mV @ 1mA
Tension drain-source (Vdss) 20V 50V 30V, 20V 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs - - 0.9nC @ 4.5V -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 10V 25pF @ 10V 13pF @ 5V 26pF @ 10V
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate, 1.2V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate, 0.9V Drive
Package / Boîte SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Configuration N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
Numéro de produit de base EM6M2 EM6K33 EM6M1 EM6K34
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200mA 200mA 100mA, 200mA 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 200mA, 4V 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V 8Ohm @ 10mA, 4V 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V

Fiche technique EM6M2T2R PDF

Téléchargez EM6M2T2R PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour EM6M2T2R - Rohm Semiconductor.

Autres documents connexes
Transistor, MOSFET Flammability.pdf
Informations environnementales
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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