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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxEM6K7T2R
EM6K7T2R Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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EM6K7T2R - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
EM6K7T2R
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-EM6K7T2R
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 20V 0.2A EMT6
Emballage
SOT-563, SOT-666
Fiche technique
EM6K7T2R.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 239170

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques EM6K7T2R
Rohm Semiconductor - EM6K7T2R Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - EM6K7T2R

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur EMT6  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V  
Puissance - Max 150mW  
Package / Boîte SOT-563, SOT-666  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200mA  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base EM6K7  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor EM6K7T2R

Attributs du produit EM6K7T2R EM6K34T2CR EM6M1T2R EM6M2T2R
Modèle de produit EM6K7T2R EM6K34T2CR EM6M1T2R EM6M2T2R
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Puissance - Max 150mW 120mW 150mW 150mW
Tension drain-source (Vdss) 20V 50V 30V, 20V 20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries - - - -
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V 8Ohm @ 10mA, 4V 1Ohm @ 200mA, 4V
Numéro de produit de base EM6K7 EM6K34 EM6M1 EM6M2
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs - - 0.9nC @ 4.5V -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur EMT6 EMT6 EMT6 EMT6
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 10V 26pF @ 10V 13pF @ 5V 25pF @ 10V
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate, 0.9V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 800mV @ 1mA - 1V @ 1mA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200mA 200mA 100mA, 200mA 200mA
Package / Boîte SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
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