Spécifications
Spécifications techniques BSM180D12P3C007
Rohm Semiconductor - BSM180D12P3C007 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - BSM180D12P3C007
| Attributs du produit |
Valeur des attributs
| |
| Fabricant |
LAPIS Technology |
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| Vgs (th) (Max) @ Id |
5.6V @ 50mA |
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| La technologie |
Silicon Carbide (SiC) |
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| Package composant fournisseur |
Module |
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| Séries |
- |
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| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
- |
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| Puissance - Max |
880W |
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| Package / Boîte |
Module |
|
| Emballer |
Bulk |
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| Attributs du produit |
Valeur des attributs
| |
| Température de fonctionnement |
175°C (TJ) |
|
| Type de montage |
Surface Mount |
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| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
900pF @ 10V |
|
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs |
- |
|
| Fonction FET |
- |
|
| Tension drain-source (Vdss) |
1200V (1.2kV) |
|
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C |
180A (Tc) |
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| Configuration |
2 N-Channel (Dual) |
|
| Numéro de produit de base |
BSM180 |
|
Mode de transport
Délai de livraison
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méthode de livraison
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| Pays communs Référence du temps logistique |
| Région |
Pays |
Heure logistique (jour) |
| Amérique |
États-Unis |
5 |
| Brésil |
7 |
| L'Europe |
Allemagne |
5 |
| Royaume-Uni |
4 |
| Italie |
5 |
| Océanie |
Australie |
6 |
| Nouvelle-Zélande |
5 |
| Asie |
Inde |
4 |
| Japon |
4 |
| Moyen-Orient |
Israël |
6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx |
| Frais d'expédition (kg) |
Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Note:
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BSM15GP60Eupec (Infineon)IGBT Module