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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxBSM180D12P2C101
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSM180D12P2C101 - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
BSM180D12P2C101
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-BSM180D12P2C101
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Description détaillée
Emballage
Module
Fiche technique
BSM180D12P2C101.pdf
État RoHS
En stock: 86

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSM180D12P2C101
Rohm Semiconductor - BSM180D12P2C101 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - BSM180D12P2C101

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 35.2mA  
La technologie Silicon Carbide (SiC)  
Package composant fournisseur Module  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Puissance - Max 1130W  
Package / Boîte Module  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 23000pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1.2kV)  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 204A (Tc)  
Configuration 2 N-Channel (Half Bridge)  
Numéro de produit de base BSM180  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor BSM180D12P2C101

Attributs du produit BSM180D12P2C101 BSM180D12P3C007 BSM181A BSM16A-3SX
Modèle de produit BSM180D12P2C101 BSM180D12P3C007 BSM181A BSM16A-3SX
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor SIEMNES
La technologie Silicon Carbide (SiC) Silicon Carbide (SiC) - -
Séries - - - -
Configuration 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) - -
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1.2kV) 1200V (1.2kV) - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 23000pF @ 10V 900pF @ 10V - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs - - - -
Package / Boîte Module Module - -
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base BSM180 BSM180 - -
Package composant fournisseur Module Module - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 204A (Tc) 180A (Tc) - -
Emballer Bulk Bulk - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 35.2mA 5.6V @ 50mA - -
Puissance - Max 1130W 880W - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) 175°C (TJ) - -

Mode de transport

Délai de livraison

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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