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AccueilCentre des produitsCircuits intégrés (ci)MémoireBR25G1MF-3GE2
BR25G1MF-3GE2 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BR25G1MF-3GE2 - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
BR25G1MF-3GE2
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-BR25G1MF-3GE2
Modèle ECAD
Description des pièces
IC EEPROM 1MBIT SPI 10MHZ 8SOP
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.173', 4.40mm Width)
Fiche technique
BR25G1MF-3GE2.pdf
État RoHS
En stock: 16431

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BR25G1MF-3GE2
Rohm Semiconductor - BR25G1MF-3GE2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - BR25G1MF-3GE2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Écrire le temps de cycle - Word, Page 5ms  
Tension - Alimentation 1.8V ~ 5.5V  
La technologie EEPROM  
Package composant fournisseur 8-SOP  
Séries -  
Package / Boîte 8-SOIC (0.173', 4.40mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Type de mémoire Non-Volatile  
Taille mémoire 1Mbit  
Organisation de mémoire 128K x 8  
Interface mémoire SPI  
Format de mémoire EEPROM  
Fréquence d'horloge 10 MHz  
Numéro de produit de base BR25G1  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor BR25G1MF-3GE2

Attributs du produit BR25G1MF-3GE2 BR25G256FJ-3GE2 BR25H020FVM-2CTR BR25G320NUX-3TR
Modèle de produit BR25G1MF-3GE2 BR25G256FJ-3GE2 BR25H020FVM-2CTR BR25G320NUX-3TR
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Fréquence d'horloge 10 MHz 20 MHz 10 MHz 20 MHz
Numéro de produit de base BR25G1 BR25G256 BR25H020 BR25G320
Taille mémoire 1Mbit 256Kbit 2Kbit 32Kbit
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries - - Automotive, AEC-Q100 -
Organisation de mémoire 128K x 8 32K x 8 256 x 8 4K x 8
Package / Boîte 8-SOIC (0.173', 4.40mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width) 8-UFDFN Exposed Pad
La technologie EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
Format de mémoire EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
Tension - Alimentation 1.8V ~ 5.5V 1.6V ~ 5.5V 2.5V ~ 5.5V 1.6V ~ 5.5V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 125°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Écrire le temps de cycle - Word, Page 5ms 5ms 4ms 5ms
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur 8-SOP 8-SOP-J 8-MSOP VSON008X2030
Interface mémoire SPI SPI SPI SPI
Type de mémoire Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile

Fiche technique BR25G1MF-3GE2 PDF

Téléchargez BR25G1MF-3GE2 PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour BR25G1MF-3GE2 - Rohm Semiconductor.

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Cylindrical Battery Holders.pdf
Informations environnementales
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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