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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTY3N60P
IXTY3N60P Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTY3N60P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTY3N60P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTY3N60P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 3A TO252
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IXT(A,P,Y) 3N60P.pdf
En stock: 5290

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTY3N60P
IXYS - IXTY3N60P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTY3N60P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252AA  
Séries PolarHV™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9Ohm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 411 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.8 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTY3  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTY3N60P

Attributs du produit IXTY3N60P IXTY26P10T IXTY08N100D2 IXTY48P05T
Modèle de produit IXTY3N60P IXTY26P10T IXTY08N100D2 IXTY48P05T
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 50µA 4.5V @ 250µA - 4.5V @ 250µA
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.8 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 14.6 nC @ 5 V 53 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±30V ±15V ±20V ±15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 411 pF @ 25 V 3820 pF @ 25 V 325 pF @ 25 V 3660 pF @ 25 V
Package composant fournisseur TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
Séries PolarHV™ TrenchP™ Depletion TrenchP™
Fonction FET - - Depletion Mode -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc) 26A (Tc) 800mA (Tc) 48A (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V - 10V
Tension drain-source (Vdss) 600 V 100 V 1000 V 50 V
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Numéro de produit de base IXTY3 IXTY26 IXTY08 IXTY48
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9Ohm @ 500mA, 10V 90mOhm @ 13A, 10V 21Ohm @ 400mA, 0V 30mOhm @ 24A, 10V
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc) 150W (Tc) 60W (Tc) 150W (Tc)

Fiche technique IXTY3N60P PDF

Téléchargez IXTY3N60P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTY3N60P - IXYS.

PCN Obsolescence / EOL
Mule Devices EOL 21/Mar/2018.pdf
Feuilles de données
IXT(A,P,Y) 3N60P.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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