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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTY1R6N50P
IXTY1R6N50P Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTY1R6N50P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTY1R6N50P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTY1R6N50P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
IXT(P,Y)1R6N50P.pdf
En stock: 4530

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTY1R6N50P
IXYS - IXTY1R6N50P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTY1R6N50P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 25µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252AA  
Séries PolarHV™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5Ohm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 43W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.9 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.6A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTY1  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTY1R6N50P

Attributs du produit IXTY1R6N50P IXTY1R4N60P IXTY90N055T2 IXTY08N100D2
Modèle de produit IXTY1R6N50P IXTY1R4N60P IXTY90N055T2 IXTY08N100D2
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 25 V 140 pF @ 25 V 2770 pF @ 25 V 325 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.9 nC @ 10 V 5.2 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 14.6 nC @ 5 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5Ohm @ 500mA, 10V 9Ohm @ 700mA, 10V 8.4mOhm @ 25A, 10V 21Ohm @ 400mA, 0V
Numéro de produit de base IXTY1 IXTY1 IXTY90 IXTY08
Séries PolarHV™ PolarHV™ TrenchT2™ Depletion
Fonction FET - - - Depletion Mode
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 25µA 5.5V @ 25µA 4V @ 250µA -
Tension drain-source (Vdss) 500 V 600 V 55 V 1000 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.6A (Tc) 1.4A (Tc) 90A (Tc) 800mA (Tc)
Dissipation de puissance (max) 43W (Tc) 50W (Tc) 150W (Tc) 60W (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Fiche technique IXTY1R6N50P PDF

Téléchargez IXTY1R6N50P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTY1R6N50P - IXYS.

Feuilles de données
IXT(P,Y)1R6N50P.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mule Devices EOL 21/Mar/2018.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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