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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTQ80N28T
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTQ80N28T - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTQ80N28T
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTQ80N28T
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 280V 80A TO3P
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique
IXTQ80N28T.pdf
En stock: 4600

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTQ80N28T
IXYS - IXTQ80N28T Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTQ80N28T

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-3P  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 49mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc)  
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 280 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTQ80  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTQ80N28T

Attributs du produit IXTQ80N28T IXTQ96N15P IXTQ86N25T IXTQ96N20P
Modèle de produit IXTQ80N28T IXTQ96N15P IXTQ86N25T IXTQ96N20P
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Numéro de produit de base IXTQ80 IXTQ96 IXTQ86 IXTQ96
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc) 480W (Tc) 540W (Ta) 600W (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±20V
Package composant fournisseur TO-3P TO-3P TO-3P TO-3P
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5000 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V 5330 pF @ 25 V 4800 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 49mOhm @ 500mA, 10V 24mOhm @ 500mA, 10V 37mOhm @ 43A, 10V 24mOhm @ 500mA, 10V
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries - Polar Trench Polar
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA 5V @ 250µA 5V @ 1mA 5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V 145 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 280 V 150 V 250 V 200 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc) 96A (Tc) 86A (Tc) 96A (Tc)

Fiche technique IXTQ80N28T PDF

Téléchargez IXTQ80N28T PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTQ80N28T - IXYS.

Conception / spécification PCN
Multiple Devices Material 23/Jun/2020.pdf
PCN Obsolescence / EOL
170V/180V Mosfet 27/Sept/2012.pdf
Feuilles de données
IXTQ80N28T.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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