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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTQ74N20P
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTQ74N20P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTQ74N20P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTQ74N20P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 74A TO3P
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique
IXT(Q,T)74N20P.pdf
État RoHS
En stock: 8085

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTQ74N20P
IXYS - IXTQ74N20P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTQ74N20P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-3P  
Séries Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 37A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 480W (Tc)  
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 107 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 74A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTQ74  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTQ74N20P

Attributs du produit IXTQ74N20P IXTQ76N25T IXTQ62N15P IXTQ69N30P
Modèle de produit IXTQ74N20P IXTQ76N25T IXTQ62N15P IXTQ69N30P
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Numéro de produit de base IXTQ74 IXTQ76 IXTQ62 IXTQ69
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 107 nC @ 10 V 92 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 1mA 5.5V @ 250µA 5V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 480W (Tc) 460W (Tc) 350W (Tc) 500W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 2250 pF @ 25 V 4960 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Séries Polar Trench Polar Polar
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 37A, 10V 39mOhm @ 500mA, 10V 40mOhm @ 31A, 10V 49mOhm @ 500mA, 10V
Tension drain-source (Vdss) 200 V 250 V 150 V 300 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 74A (Tc) 76A (Tc) 62A (Tc) 69A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package composant fournisseur TO-3P TO-3P TO-3P TO-3P

Fiche technique IXTQ74N20P PDF

Téléchargez IXTQ74N20P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTQ74N20P - IXYS.

Conception / spécification PCN
Multiple Devices Material 23/Jun/2020.pdf
Feuilles de données
IXT(Q,T)74N20P.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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