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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTP52P10P
IXTP52P10P Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTP52P10P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTP52P10P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTP52P10P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 100V 52A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IXT(A,H,P,Q)52P10P.pdf
État RoHS
En stock: 7837

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTP52P10P
IXYS - IXTP52P10P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTP52P10P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries PolarP™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 52A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2845 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 52A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTP52  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTP52P10P

Attributs du produit IXTP52P10P IXTP50N25T IXTP70N085T IXTP4N60P
Modèle de produit IXTP52P10P IXTP50N25T IXTP70N085T IXTP4N60P
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Tension drain-source (Vdss) 100 V 250 V 85 V 600 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 5V @ 1mA 4V @ 50µA 5.5V @ 100µA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 52A (Tc) 50A (Tc) 70A (Tc) 4A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 52A, 10V 50mOhm @ 25A, 10V 13.5mOhm @ 25A, 10V 2Ohm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 400W (Tc) 176W (Tc) 89W (Tc)
Numéro de produit de base IXTP52 IXTP50 IXTP70 IXTP4
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tube Tube Tube
Séries PolarP™ Trench TrenchMV™ PolarHV™
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2845 pF @ 25 V 4000 pF @ 25 V 2570 pF @ 25 V 635 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique IXTP52P10P PDF

Téléchargez IXTP52P10P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTP52P10P - IXYS.

Feuilles de données
IXT(A,H,P,Q)52P10P.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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