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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTP50N25T
IXTP50N25T Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTP50N25T - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTP50N25T
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTP50N25T
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 50A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IXT(A,H,P,Q)50N25T.pdf
État RoHS
En stock: 16085

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTP50N25T
IXYS - IXTP50N25T Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTP50N25T

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 400W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTP50  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTP50N25T

Attributs du produit IXTP50N25T IXTP44N10T IXTP450P2 IXTP48P05T
Modèle de produit IXTP50N25T IXTP44N10T IXTP450P2 IXTP48P05T
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±15V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries Trench Trench PolarP2™ TrenchP™
Dissipation de puissance (max) 400W (Tc) 130W (Tc) 300W (Tc) 150W (Tc)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Numéro de produit de base IXTP50 IXTP44 IXTP450 IXTP48
Tension drain-source (Vdss) 250 V 100 V 500 V 50 V
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Emballer Tube Tube Tube Tube
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 25A, 10V 30mOhm @ 22A, 10V 330mOhm @ 8A, 10V 30mOhm @ 24A, 10V
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc) 44A (Tc) 16A (Tc) 48A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 25 V 1262 pF @ 25 V 2530 pF @ 25 V 3660 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA 4.5V @ 25µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA

Fiche technique IXTP50N25T PDF

Téléchargez IXTP50N25T PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTP50N25T - IXYS.

Feuilles de données
IXT(A,H,P,Q)50N25T.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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