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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTP3N120
IXTP3N120 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTP3N120 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTP3N120
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTP3N120
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IXT(A,P)3N120.pdf
État RoHS
En stock: 6729

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTP3N120
IXYS - IXTP3N120 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTP3N120

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTP3  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTP3N120

Attributs du produit IXTP3N120 IXTP2N60P IXTP24P085T IXTP26P10T
Modèle de produit IXTP3N120 IXTP2N60P IXTP24P085T IXTP26P10T
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Numéro de produit de base IXTP3 IXTP2 IXTP24 IXTP26
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 500mA, 10V 5.1Ohm @ 1A, 10V 65mOhm @ 12A, 10V 90mOhm @ 13A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 25 V 240 pF @ 25 V 2090 pF @ 25 V 3820 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V 7 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 200W (Tc) 55W (Tc) 83W (Tc) 150W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc) 2A (Tc) 24A (Tc) 26A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 1200 V 600 V 85 V 100 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±15V ±15V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Séries HiPerFET™ Polar™ TrenchP™ TrenchP™

Fiche technique IXTP3N120 PDF

Téléchargez IXTP3N120 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTP3N120 - IXYS.

Feuilles de données
IXT(A,P)3N120.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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