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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTP2N60P
IXTP2N60P Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTP2N60P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTP2N60P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTP2N60P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 2A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IXT(P,Y)2N60P.pdf
En stock: 4200

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTP2N60P
IXYS - IXTP2N60P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTP2N60P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries Polar™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1Ohm @ 1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 55W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 240 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTP2  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTP2N60P

Attributs du produit IXTP2N60P IXTP44N10T IXTP3N100P IXTP260N055T2
Modèle de produit IXTP2N60P IXTP44N10T IXTP3N100P IXTP260N055T2
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Dissipation de puissance (max) 55W (Tc) 130W (Tc) 125W (Tc) 480W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 240 pF @ 25 V 1262 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V 10800 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Tc) 44A (Tc) 3A (Tc) 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1Ohm @ 1A, 10V 30mOhm @ 22A, 10V 4.8Ohm @ 1.5A, 10V 3.3mOhm @ 50A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.5V @ 25µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Séries Polar™ Trench Polar P3™ TrenchT2™
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Numéro de produit de base IXTP2 IXTP44 IXTP3 IXTP260
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 600 V 100 V 1000 V 55 V

Fiche technique IXTP2N60P PDF

Téléchargez IXTP2N60P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTP2N60P - IXYS.

PCN Obsolescence / EOL
Mule Devices EOL 21/Mar/2018.pdf
Feuilles de données
IXT(P,Y)2N60P.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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