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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTP200N055T2
IXTP200N055T2 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTP200N055T2 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTP200N055T2
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTP200N055T2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 200A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IXT(A,P)200N055T2.pdf
État RoHS
En stock: 16476

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTP200N055T2
IXYS - IXTP200N055T2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTP200N055T2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries TrenchT2™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 50A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 109 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTP200  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTP200N055T2

Attributs du produit IXTP200N055T2 IXTP170N075T2 IXTP24N65X2 IXTP160N075T
Modèle de produit IXTP200N055T2 IXTP170N075T2 IXTP24N65X2 IXTP160N075T
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc) 360W (Tc) 390W (Tc) 360W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Séries TrenchT2™ TrenchT2™ Ultra X2 TrenchMV™
Emballer Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 50A, 10V 5.4mOhm @ 50A, 10V 145mOhm @ 12A, 10V 6mOhm @ 25A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 25 V 6860 pF @ 25 V 2060 pF @ 25 V 4950 pF @ 25 V
Numéro de produit de base IXTP200 IXTP170 IXTP24 IXTP160
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200A (Tc) 170A (Tc) 24A (Tc) 160A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 55 V 75 V 650 V 75 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 109 nC @ 10 V 109 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 112 nC @ 10 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V

Fiche technique IXTP200N055T2 PDF

Téléchargez IXTP200N055T2 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTP200N055T2 - IXYS.

Feuilles de données
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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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