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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTP18P10T
IXTP18P10T Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTP18P10T - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTP18P10T
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTP18P10T
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IXT(Y,A,P)18P10T.pdf
État RoHS
En stock: 28825

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTP18P10T
IXYS - IXTP18P10T Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTP18P10T

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries TrenchP™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 9A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 83W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTP18  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTP18P10T

Attributs du produit IXTP18P10T IXTP14N60PM IXTP140P05T IXTP230N075T2
Modèle de produit IXTP18P10T IXTP14N60PM IXTP140P05T IXTP230N075T2
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 9A, 10V 550mOhm @ 7A, 10V 9mOhm @ 70A, 10V 4.2mOhm @ 50A, 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 TO-220-3
Dissipation de puissance (max) 83W (Tc) 75W (Tc) 298W (Tc) 480W (Tc)
Séries TrenchP™ Polar TrenchP™ TrenchT2™
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 25 V 2500 pF @ 25 V 13500 pF @ 25 V 10500 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Tc) 7A (Tc) 140A (Tc) 230A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 600 V 50 V 75 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 178 nC @ 10 V
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±15V ±30V ±15V ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220 Isolated Tab TO-220-3 TO-220-3
Numéro de produit de base IXTP18 IXTP14 IXTP140 IXTP230

Fiche technique IXTP18P10T PDF

Téléchargez IXTP18P10T PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTP18P10T - IXYS.

Feuilles de données
IXT(Y,A,P)18P10T.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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