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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTH200N10T
IXTH200N10T Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTH200N10T - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTH200N10T
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTH200N10T
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 200A TO247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXT(H,Q)200N10T.pdf
État RoHS
En stock: 8617

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTH200N10T
IXYS - IXTH200N10T Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTH200N10T

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247 (IXTH)  
Séries Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 50A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 550W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9400 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 152 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTH200  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTH200N10T

Attributs du produit IXTH200N10T IXTH1N250 IXTH180N10T IXTH20P50P
Modèle de produit IXTH200N10T IXTH1N250 IXTH180N10T IXTH20P50P
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Tension drain-source (Vdss) 100 V 2500 V 100 V 500 V
Vgs (Max) ±30V - ±30V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 50A, 10V 40Ohm @ 750mA, 10V 6.4mOhm @ 25A, 10V 450mOhm @ 10A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9400 pF @ 25 V 1660 pF @ 25 V 6900 pF @ 25 V 5120 pF @ 25 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Emballer Tube Tube Tube Tube
Dissipation de puissance (max) 550W (Tc) - 480W (Tc) 460W (Tc)
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200A (Tc) 1.5A (Tc) 180A (Tc) 20A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - 10V 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 152 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 151 nC @ 10 V 103 nC @ 10 V
Package composant fournisseur TO-247 (IXTH) TO-247AD TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Numéro de produit de base IXTH200 IXTH1 IXTH180 IXTH20
Séries Trench - Trench PolarP™
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA

Fiche technique IXTH200N10T PDF

Téléchargez IXTH200N10T PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTH200N10T - IXYS.

Feuilles de données
IXT(H,Q)200N10T.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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