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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXTH200N075T
IXTH200N075T Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXTH200N075T - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXTH200N075T
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXTH200N075T
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 75V 200A TO247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXT(H,Q)200N075T.pdf
En stock: 4070

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXTH200N075T
IXYS - IXTH200N075T Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXTH200N075T

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247 (IXTH)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 430W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 75 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200A (Tc)  
Numéro de produit de base IXTH200  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXTH200N075T

Attributs du produit IXTH200N075T IXTH1N100 IXTH16N10D2 IXTH160N15T
Modèle de produit IXTH200N075T IXTH1N100 IXTH16N10D2 IXTH160N15T
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base IXTH200 IXTH1 IXTH16 IXTH160
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Tension drain-source (Vdss) 75 V 1000 V 100 V 150 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4.5V @ 25µA - 5V @ 1mA
Package composant fournisseur TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 225 nC @ 5 V 160 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 430W (Tc) 60W (Tc) 830W (Tc) 830W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Fonction FET - - Depletion Mode -
Séries - - Depletion Trench
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200A (Tc) 1.5A (Tc) 16A (Tc) 160A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 0V 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 25A, 10V 11Ohm @ 1A, 10V 64mOhm @ 8A, 0V 9.6mOhm @ 500mA, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 25 V 480 pF @ 25 V 5700 pF @ 25 V 8800 pF @ 25 V

Fiche technique IXTH200N075T PDF

Téléchargez IXTH200N075T PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXTH200N075T - IXYS.

PCN Obsolescence / EOL
IXT Series 30/Oct/2012.pdf
Feuilles de données
IXT(H,Q)200N075T.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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