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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFX90N60X
IXFX90N60X Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFX90N60X - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFX90N60X
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFX90N60X
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 90A PLUS247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3 Variant
Fiche technique
IXF(K,X)90N60X.pdf
État RoHS
En stock: 2188

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFX90N60X
IXYS - IXFX90N60X Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFX90N60X

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PLUS247™-3  
Séries HiPerFET™, Ultra X  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 45A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1100W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3 Variant  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8500 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 90A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFX90  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFX90N60X

Attributs du produit IXFX90N60X IXFX64N60P3 IXFX55N50 IXFX48N60P
Modèle de produit IXFX90N60X IXFX64N60P3 IXFX55N50 IXFX48N60P
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Numéro de produit de base IXFX90 IXFX64 IXFX55 IXFX48
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±30V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA 5V @ 4mA 4.5V @ 8mA 5V @ 8mA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3 PLUS247™-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 90A (Tc) 64A (Tc) 55A (Tc) 48A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 500 V 600 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8500 pF @ 25 V 9900 pF @ 25 V 9400 pF @ 25 V 8860 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V 145 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 45A, 10V 95mOhm @ 32A, 10V 80mOhm @ 500mA, 10V 135mOhm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max) 1100W (Tc) 1130W (Tc) 625W (Tc) 830W (Tc)
Séries HiPerFET™, Ultra X HiPerFET™, Polar3™ HiPerFET™ HiPerFET™, Polar
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Fonction FET - - - -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

Fiche technique IXFX90N60X PDF

Téléchargez IXFX90N60X PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFX90N60X - IXYS.

Feuilles de données
IXF(K,X)90N60X.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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