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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFR44N80P
IXFR44N80P Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFR44N80P - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFR44N80P
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFR44N80P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXFR44N80P.pdf
État RoHS
En stock: 2494

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFR44N80P
IXYS - IXFR44N80P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFR44N80P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ISOPLUS247™  
Séries HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 22A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFR44  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFR44N80P

Attributs du produit IXFR44N80P IXFR44N50Q IXFT12N100Q IXFR36N50P
Modèle de produit IXFR44N80P IXFR44N50Q IXFT12N100Q IXFR36N50P
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Package composant fournisseur ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ TO-268AA ISOPLUS247™
Type de montage Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 800 V 500 V 1000 V 500 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V
Numéro de produit de base IXFR44 IXFR44 IXFT12 IXFR36
Séries HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Q Class HiPerFET™ HiPerFET™, Polar
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA 4V @ 4mA 5.5V @ 4mA 5V @ 4mA
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc) 310W (Tc) 300W (Tc) 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 22A, 10V 120mOhm @ 22A, 10V 1.05Ohm @ 6A, 10V 190mOhm @ 18A, 10V
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25A (Tc) 34A (Tc) 12A (Tc) 19A (Tc)
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-247-3
Emballer Tube Tube Tube Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12000 pF @ 25 V 7000 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 5500 pF @ 25 V

Fiche technique IXFR44N80P PDF

Téléchargez IXFR44N80P PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFR44N80P - IXYS.

Feuilles de données
IXFR44N80P.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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