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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFR38N80Q2
IXFR38N80Q2 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFR38N80Q2 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFR38N80Q2
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFR38N80Q2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXFR38N80Q2.pdf
État RoHS
En stock: 4350

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFR38N80Q2
IXYS - IXFR38N80Q2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFR38N80Q2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ISOPLUS247™  
Séries HiPerFET™, Q2 Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 19A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 416W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8340 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 28A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFR38  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFR38N80Q2

Attributs du produit IXFR38N80Q2 IXFR44N60 IXFR26N50Q IXFR44N50Q
Modèle de produit IXFR38N80Q2 IXFR44N60 IXFR26N50Q IXFR44N50Q
Fabricant IXYS IXYS Corporation IXYS IXYS
Tension drain-source (Vdss) 800 V 600V 500 V 500 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA 4.5V @ 4mA 4.5V @ 4mA 4V @ 4mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8340 pF @ 25 V 8900pF @ 25V 3900 pF @ 25 V 7000 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 19A, 10V 130 mOhm @ 22A, 10V 200mOhm @ 13A, 10V 120mOhm @ 22A, 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Fonction FET - - - -
Séries HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Q Class
Dissipation de puissance (max) 416W (Tc) 400W (Tc) 250W (Tc) 310W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Numéro de produit de base IXFR38 - IXFR26 IXFR44
Package / Boîte TO-247-3 ISOPLUS247™ TO-247-3 TO-247-3
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tube - Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V 330nC @ 10V 95 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
Package composant fournisseur ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 28A (Tc) 38A (Tc) 24A (Tc) 34A (Tc)

Fiche technique IXFR38N80Q2 PDF

Téléchargez IXFR38N80Q2 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFR38N80Q2 - IXYS.

Feuilles de données
IXFR38N80Q2.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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