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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFK36N60
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFK36N60 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFK36N60
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFK36N60
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 36A TO264AA
Description détaillée
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
IXF(K,N)3(2,6)N60.pdf
État RoHS
En stock: 3930

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFK36N60
IXYS - IXFK36N60 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFK36N60

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-264AA (IXFK)  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc)  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 325 nC @ 25 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFK36  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFK36N60

Attributs du produit IXFK36N60 IXFK44N55Q IXFK30N50Q IXFK34N80
Modèle de produit IXFK36N60 IXFK44N55Q IXFK30N50Q IXFK34N80
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base IXFK36 IXFK44 IXFK30 IXFK34
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36A (Tc) 44A (Tc) 30A (Tc) 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 500mA, 10V 120mOhm @ 22A, 10V 160mOhm @ 15A, 10V 240mOhm @ 17A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9000 pF @ 25 V 6400 pF @ 25 V 3950 pF @ 25 V 7500 pF @ 25 V
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Séries HiPerFET™ HiPerFET™, Q Class HiPerFET™ HiPerFET™
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA 4.5V @ 4mA 4.5V @ 4mA 5V @ 8mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 325 nC @ 25 V 190 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tube Box Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 600 V 550 V 500 V 800 V
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc) 500W (Tc) 416W (Tc) 560W (Tc)

Fiche technique IXFK36N60 PDF

Téléchargez IXFK36N60 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFK36N60 - IXYS.

Feuilles de données
IXF(K,N)3(2,6)N60.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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