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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFK30N50Q
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFK30N50Q - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFK30N50Q
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFK30N50Q
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 30A TO264AA
Description détaillée
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
IXF(K,X)30N50Q, 32N50Q.pdf
En stock: 5170

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFK30N50Q
IXYS - IXFK30N50Q Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFK30N50Q

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-264AA (IXFK)  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 15A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 416W (Tc)  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3950 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFK30  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFK30N50Q

Attributs du produit IXFK30N50Q IXFK30N100Q2 IXFK32N100P IXFK27N80Q
Modèle de produit IXFK30N50Q IXFK30N100Q2 IXFK32N100P IXFK27N80Q
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 15A, 10V 400mOhm @ 15A, 10V 320mOhm @ 16A, 10V 320mOhm @ 500mA, 10V
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 500 V 1000 V 1000 V 800 V
Séries HiPerFET™ HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Q Class
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA 5V @ 8mA 6.5V @ 1mA 4.5V @ 4mA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3950 pF @ 25 V 8200 pF @ 25 V 14200 pF @ 25 V 7600 pF @ 25 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 416W (Tc) 735W (Tc) 960W (Tc) 500W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 186 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Numéro de produit de base IXFK30 IXFK30 IXFK32 IXFK27
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc) 30A (Tc) 32A (Tc) 27A (Tc)

Fiche technique IXFK30N50Q PDF

Téléchargez IXFK30N50Q PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFK30N50Q - IXYS.

Feuilles de données
IXF(K,X)30N50Q, 32N50Q.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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