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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFH7N90Q
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFH7N90Q - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFH7N90Q
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFH7N90Q
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 900V 7A TO247AD
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXF(H,T)7N90Q.pdf
État RoHS
En stock: 4020

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFH7N90Q
IXYS - IXFH7N90Q Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFH7N90Q

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247AD (IXFH)  
Séries HiPerFET™, Q Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 180W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 900 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFH7  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFH7N90Q

Attributs du produit IXFH7N90Q IXFH80N10 IXFH76N07-11 IXFH80N15Q
Modèle de produit IXFH7N90Q IXFH80N10 IXFH76N07-11 IXFH80N15Q
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Tension drain-source (Vdss) 900 V 100 V 70 V 150 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 180W (Tc) 300W (Tc) 360W (Tc) 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 500mA, 10V 12.5mOhm @ 40A, 10V 11mOhm @ 40A, 10V 22.5mOhm @ 40A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Tc) 80A (Tc) 76A (Tc) 80A (Tc)
Séries HiPerFET™, Q Class HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™
Package composant fournisseur TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA 4V @ 4mA 3.4V @ 4mA 4V @ 4mA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base IXFH7 IXFH80 IXFH76 IXFH80
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V 4800 pF @ 25 V 4400 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Fonction FET - - - -

Fiche technique IXFH7N90Q PDF

Téléchargez IXFH7N90Q PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFH7N90Q - IXYS.

Feuilles de données
IXF(H,T)7N90Q.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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