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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFH14N100
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFH14N100 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFH14N100
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFH14N100
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXF(H,T,X)1(4,5)N100.pdf
En stock: 3990

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFH14N100
IXYS - IXFH14N100 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFH14N100

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247AD (IXFH)  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1000 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFH14  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFH14N100

Attributs du produit IXFH14N100 IXFH140N10P IXFH12N90P IXFH150N15P
Modèle de produit IXFH14N100 IXFH140N10P IXFH12N90P IXFH150N15P
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Package composant fournisseur TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 500mA, 10V 11mOhm @ 70A, 10V 900mOhm @ 6A, 10V 13mOhm @ 500mA, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Numéro de produit de base IXFH14 IXFH140 IXFH12 IXFH150
Emballer Tube Tube Tube Box
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V 4700 pF @ 25 V 3080 pF @ 25 V 5800 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA 5V @ 4mA 6.5V @ 1mA 5V @ 4mA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 360W (Tc) 600W (Tc) 380W (Tc) 714W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Tc) 140A (Tc) 12A (Tc) 150A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 1000 V 100 V 900 V 150 V
Séries HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar

Fiche technique IXFH14N100 PDF

Téléchargez IXFH14N100 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFH14N100 - IXYS.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf IXFH14N100 Device 23/Aug/2013.pdf
Feuilles de données
IXF(H,T,X)1(4,5)N100.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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