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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIXFH13N50
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXFH13N50 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXFH13N50
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXFH13N50
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 13A TO247AD
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXFH,IXFM 13N50.pdf
En stock: 4580

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXFH13N50
IXYS - IXFH13N50 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXFH13N50

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247AD (IXFH)  
Séries HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 6.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 180W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Tc)  
Numéro de produit de base IXFH13  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXFH13N50

Attributs du produit IXFH13N50 IXFH14N100Q2 IXFH150N17T IXFH12N100F
Modèle de produit IXFH13N50 IXFH14N100Q2 IXFH150N17T IXFH12N100F
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 6.5A, 10V 950mOhm @ 7A, 10V 12mOhm @ 75A, 10V 1.05Ohm @ 6A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 13A (Tc) 14A (Tc) 150A (Tc) 12A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipation de puissance (max) 180W (Tc) 500W (Tc) 830W (Tc) 300W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 83 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V 77 nC @ 10 V
Séries HiPerFET™ HiPerFET™, Q2 Class TrenchHV™ HiPerFET™, F Class
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA 5.5V @ 4mA 5V @ 3mA 5.5V @ 4mA
Tension drain-source (Vdss) 500 V 1000 V 175 V 1000 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base IXFH13 IXFH14 IXFH150 IXFH12
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 25 V 2800 pF @ 25 V 9800 pF @ 25 V 2700 pF @ 25 V

Fiche technique IXFH13N50 PDF

Téléchargez IXFH13N50 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXFH13N50 - IXYS.

Feuilles de données
IXFH,IXFM 13N50.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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