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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - ModulesIXBN75N170
IXYS
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IXBN75N170 - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXBN75N170
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXBN75N170
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT MOD 1700V 145A 625W SOT227B
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
IXBN75N170.pdf
État RoHS
En stock: 318

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IXBN75N170
IXYS - IXBN75N170 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXBN75N170

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1700 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 75A  
Package composant fournisseur SOT-227B  
Séries BIMOSFET™  
Puissance - Max 625 W  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
NTC thermistance No  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 6.93 nF @ 25 V  
Contribution Standard  
type de IGBT -  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 25 µA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 145 A  
Configuration Single  
Numéro de produit de base IXBN75  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXBN75N170

Attributs du produit IXBN75N170 IXBN75N170A IXBH42N170A IXBOD1-20RD
Modèle de produit IXBN75N170 IXBN75N170A IXBH42N170A IXBOD1-20RD
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Numéro de produit de base IXBN75 IXBN75 IXBH42 IXBOD1
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1700 V 1700 V 1700 V -
Emballer Tube Tube Tube Box
Configuration Single Single - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Through Hole Through Hole
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 6.93 nF @ 25 V 7.4 nF @ 25 V - -
NTC thermistance No No - -
Package composant fournisseur SOT-227B SOT-227B TO-247AD BOD
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 Radial
Contribution Standard Standard - -
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 25 µA 50 µA - -
Puissance - Max 625 W 625 W 357 W -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 145 A 75 A 42 A -
type de IGBT - - - -
Séries BIMOSFET™ BIMOSFET™ BIMOSFET™ -
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 75A 6V @ 15V, 42A 6V @ 15V, 21A -

Fiche technique IXBN75N170 PDF

Téléchargez IXBN75N170 PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXBN75N170 - IXYS.

Feuilles de données
IXBN75N170.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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