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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleIXBH9N160G
IXBH9N160G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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IXBH9N160G - IXYS

Fabricant Modèle de produit
IXBH9N160G
Fabricant
IXYS Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IXBH9N160G
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT 1600V 9A 100W TO247AD
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IXBH9N160G.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 5130

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IXBH9N160G
IXYS - IXBH9N160G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à IXYS - IXBH9N160G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant IXYS Corporation  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1600 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 7V @ 15V, 5A  
Condition de test 960V, 5A, 27Ohm, 10V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C -  
énergie de commutation -  
Package composant fournisseur TO-247AD  
Séries BIMOSFET™  
Puissance - Max 100 W  
Package / Boîte TO-247-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT -  
gate charge 34 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 10 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 9 A  
Numéro de produit de base IXBH9N160  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de IXYS IXBH9N160G

Attributs du produit IXBH9N160G IXBH2N250 IXBH16N170A IXBH40N160
Modèle de produit IXBH9N160G IXBH2N250 IXBH16N170A IXBH40N160
Fabricant IXYS IXYS IXYS IXYS
Numéro de produit de base IXBH9N160 IXBH2 IXBH16 IXBH40
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 7V @ 15V, 5A 3.5V @ 15V, 2A 6V @ 15V, 10A 7.1V @ 15V, 20A
gate charge 34 nC 10.6 nC 65 nC 130 nC
énergie de commutation - - 1.2mJ (off) -
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1600 V 2500 V 1700 V 1600 V
Séries BIMOSFET™ BIMOSFET™ BIMOSFET™ BIMOSFET™
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 10 A 13 A 40 A 40 A
Puissance - Max 100 W 32 W 150 W 350 W
Package composant fournisseur TO-247AD TO-247AD TO-247AD TO-247AD
Emballer Tube Tube Tube Bulk
Td (marche / arrêt) à 25 ° C - - 15ns/160ns -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 9 A 5 A 16 A 33 A
type de IGBT - - - -
Condition de test 960V, 5A, 27Ohm, 10V - 1360V, 10A, 10Ohm, 15V 960V, 20A, 22Ohm, 15V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

Fiche technique IXBH9N160G PDF

Téléchargez IXBH9N160G PDF DataSheets et Documentation IXYS pour IXBH9N160G - IXYS.

PCN Obsolescence / EOL
DK OBS NOTICE.pdf
Feuilles de données
IXBH9N160G.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
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