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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleGC11N65K
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

GC11N65K - Goford Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
GC11N65K
Fabricant
Goford Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-GC11N65K
Modèle ECAD
Description des pièces
N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
GC11N65K.pdf
État RoHS
En stock: 76770

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques GC11N65K
Goford Semiconductor - GC11N65K Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Goford Semiconductor - GC11N65K

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Goford Semiconductor  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 5.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 78W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 901 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Goford Semiconductor GC11N65K

Attributs du produit GC11N65K FDD1600N10ALZD FDMS2672 GC102-PC451-0021-11
Modèle de produit GC11N65K FDD1600N10ALZD FDMS2672 GC102-PC451-0021-11
Fabricant Goford Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi N/A
Tension drain-source (Vdss) 650 V 100 V 200 V -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 901 pF @ 50 V 225 pF @ 50 V 2315 pF @ 100 V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc) 6.8A (Tc) 3.7A (Ta), 20A (Tc) -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 5V, 10V 6V, 10V -
Séries - PowerTrench® UltraFET™ -
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD 8-PowerWDFN -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Dissipation de puissance (max) 78W (Tc) 14.9W (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2.8V @ 250µA 4V @ 250µA -
Package composant fournisseur TO-252 TO-252-4 8-MLP (5x6), Power56 -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 5.5A, 10V 160mOhm @ 3.4A, 10V 77mOhm @ 3.7A, 10V -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V 3.61 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V -

Fiche technique GC11N65K PDF

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Feuilles de données
GC11N65K.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
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Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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