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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDMS2672
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMS2672 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDMS2672
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDMS2672
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 3.7A/20A 8MLP
Description détaillée
Emballage
8-PowerWDFN
Fiche technique
FDMS2672.pdf
État RoHS
En stock: 24409

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMS2672
onsemi - FDMS2672 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDMS2672

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-MLP (5x6), Power56  
Séries UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 3.7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 78W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerWDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2315 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.7A (Ta), 20A (Tc)  
Numéro de produit de base FDMS26  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDMS2672

Attributs du produit FDMS2672 FDMS2572 FDMS2508SDC FDMS3006SDC
Modèle de produit FDMS2672 FDMS2572 FDMS2508SDC FDMS3006SDC
Fabricant onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2315 pF @ 100 V 2610 pF @ 75 V 4515 pF @ 13 V 5725 pF @ 15 V
Fonction FET - - - -
Package / Boîte 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Numéro de produit de base FDMS26 FDMS25 FDMS25 FDMS30
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-MLP (5x6), Power56 8-MLP (5x6), Power56 8-PQFN (5x6) Dual Cool™56
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.7A (Ta), 20A (Tc) 4.5A (Ta), 27A (Tc) 34A (Ta), 49A (Tc) 34A (Ta)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 1mA 3V @ 1mA
Tension drain-source (Vdss) 200 V 150 V 25 V 30 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries UltraFET™ UltraFET™ Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™ Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 78W (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) 3.3W (Ta), 78W (Tc) 3.3W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 3.7A, 10V 47mOhm @ 4.5A, 10V 1.95mOhm @ 28A, 10V 1.9mOhm @ 30A, 10V

Fiche technique FDMS2672 PDF

Téléchargez FDMS2672 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDMS2672 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf FDMS2672 Product Spec Update 16/Nov/2015.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
FDMyy A/T Chgs 20/Oct/2021.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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