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AccueilCentre des produitsCircuits intégrés (ci)MémoireGD25WQ64ESIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

GD25WQ64ESIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Fabricant Modèle de produit
GD25WQ64ESIGR
Fabricant
GigaDevice
Allelco Modèle de produit
32D-GD25WQ64ESIGR
Modèle ECAD
Description des pièces
64MBIT, 1.65V-3.6V, SOP8 208MIL,
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Fiche technique
Product Selection Guide 2023.pdf
État RoHS
En stock: 34413

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques GD25WQ64ESIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25WQ64ESIGR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25WQ64ESIGR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant GigaDevice  
Écrire le temps de cycle - Word, Page 120µs, 4ms  
Tension - Alimentation 1.65V ~ 3.6V  
La technologie FLASH - NOR (SLC)  
Package composant fournisseur 8-SOP  
Séries -  
Package / Boîte 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Type de mémoire Non-Volatile  
Taille mémoire 64Mbit  
Organisation de mémoire 8M x 8  
Interface mémoire SPI - Quad I/O  
Format de mémoire FLASH  
Fréquence d'horloge 104 MHz  
Temps d'accès 12 ns  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ64ESIGR

Attributs du produit GD25WQ64ESIGR GD25VE16CEIGR GD25WD80CTIG GD25S512MDYIGR
Modèle de produit GD25WQ64ESIGR GD25VE16CEIGR GD25WD80CTIG GD25S512MDYIGR
Fabricant GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Type de mémoire Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile
Package / Boîte 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) 8-XFDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-WDFN Exposed Pad
Format de mémoire FLASH FLASH FLASH FLASH
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Séries - - - -
La technologie FLASH - NOR (SLC) FLASH - NOR FLASH - NOR FLASH - NOR
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Interface mémoire SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O
Temps d'accès 12 ns - - -
Tension - Alimentation 1.65V ~ 3.6V 2.1V ~ 3.6V 1.65V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V
Package composant fournisseur 8-SOP 8-USON (2x3) 8-SOP 8-WSON (6x8)
Organisation de mémoire 8M x 8 2M x 8 1M x 8 64M x 8
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Taille mémoire 64Mbit 16Mbit 8Mbit 512Mbit
Écrire le temps de cycle - Word, Page 120µs, 4ms - - 50µs, 2.4ms
Fréquence d'horloge 104 MHz 104 MHz - 104 MHz

Fiche technique GD25WQ64ESIGR PDF

Téléchargez GD25WQ64ESIGR PDF DataSheets et Documentation GigaDevice Semiconductor (HK) Limited pour GD25WQ64ESIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited.

Feuilles de données
Product Selection Guide 2023.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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