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GD25WD80CEIGR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

GD25WD80CEIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Fabricant Modèle de produit
GD25WD80CEIGR
Fabricant
GigaDevice
Allelco Modèle de produit
32D-GD25WD80CEIGR
Modèle ECAD
Description des pièces
IC FLSH 8MBIT SPI/QUAD I/O 8USON
Description détaillée
Emballage
8-XFDFN Exposed Pad
Fiche technique
Product Selection Guide 2023.pdf
État RoHS
En stock: 78490

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques GD25WD80CEIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25WD80CEIGR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25WD80CEIGR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant GigaDevice  
Écrire le temps de cycle - Word, Page -  
Tension - Alimentation 1.65V ~ 3.6V  
La technologie FLASH - NOR  
Package composant fournisseur 8-USON (2x3)  
Séries -  
Package / Boîte 8-XFDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)  
Type de montage Surface Mount  
Type de mémoire Non-Volatile  
Taille mémoire 8Mbit  
Organisation de mémoire 1M x 8  
Interface mémoire SPI - Quad I/O  
Format de mémoire FLASH  
Numéro de produit de base GD25WD80  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD80CEIGR

Attributs du produit GD25WD80CEIGR GD25WD20CTIG GD25WD80CTIG GD25VE16CEIGR
Modèle de produit GD25WD80CEIGR GD25WD20CTIG GD25WD80CTIG GD25VE16CEIGR
Fabricant GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Tension - Alimentation 1.65V ~ 3.6V 1.65V ~ 3.6V 1.65V ~ 3.6V 2.1V ~ 3.6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)
Numéro de produit de base GD25WD80 GD25WD20 GD25WD80 GD25VE16
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte 8-XFDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-XFDFN Exposed Pad
Taille mémoire 8Mbit 2Mbit 8Mbit 16Mbit
Organisation de mémoire 1M x 8 256K x 8 1M x 8 2M x 8
Format de mémoire FLASH FLASH FLASH FLASH
Séries - - - -
Package composant fournisseur 8-USON (2x3) 8-SOP 8-SOP 8-USON (2x3)
Interface mémoire SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O SPI - Quad I/O
Écrire le temps de cycle - Word, Page - - - -
La technologie FLASH - NOR FLASH - NOR FLASH - NOR FLASH - NOR
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Type de mémoire Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile Non-Volatile

Fiche technique GD25WD80CEIGR PDF

Téléchargez GD25WD80CEIGR PDF DataSheets et Documentation GigaDevice Semiconductor (HK) Limited pour GD25WD80CEIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited.

Feuilles de données
Product Selection Guide 2023.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-GD25WD80CEIGR

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