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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - tableauxMBR500200CT
GeneSiC Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MBR500200CT - GeneSiC Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
MBR500200CT
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-MBR500200CT
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE SCHOTTKY 200V 250A 2 TOWER
Description détaillée
Emballage
Twin Tower
Fiche technique
MBR500150CT thru MBR500200CTR.pdf
État RoHS
Conforme à RoHS
En stock: 4540

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MBR500200CT
GeneSiC Semiconductor - MBR500200CT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à GeneSiC Semiconductor - MBR500200CT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant GeneSiC Semiconductor  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 920 mV @ 250 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 200 V  
La technologie Schottky  
Package composant fournisseur Twin Tower  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte Twin Tower  
Emballer Bulk  
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C  
Type de montage Chassis Mount  
Configuration diode 1 Pair Common Cathode  
Courant - fuite, inverse à Vr 3 mA @ 200 V  
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 250A  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de GeneSiC Semiconductor MBR500200CT

Attributs du produit MBR500200CT MBR40L45CTG MBR50020CT MBR41H100CT
Modèle de produit MBR500200CT MBR40L45CTG MBR50020CT MBR41H100CT
Fabricant GeneSiC Semiconductor onsemi GeneSiC Semiconductor onsemi
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 250A 20A 250A 20A
Tension - inverse (Vr) (max) 200 V 45 V 20 V 100 V
Package composant fournisseur Twin Tower TO-220 Twin Tower TO-220
Emballer Bulk Tube Bulk Tube
Configuration diode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
La technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
Type de montage Chassis Mount Through Hole Chassis Mount Through Hole
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Package / Boîte Twin Tower TO-220-3 Twin Tower TO-220-3
Courant - fuite, inverse à Vr 3 mA @ 200 V 1.2 mA @ 45 V 1 mA @ 20 V 10 µA @ 100 V
Séries - SWITCHMODE™ - SWITCHMODE™
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C -65°C ~ 175°C -55°C ~ 150°C 175°C (Max)
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 920 mV @ 250 A 500 mV @ 20 A 750 mV @ 250 A 800 mV @ 20 A

Fiche technique MBR500200CT PDF

Téléchargez MBR500200CT PDF DataSheets et Documentation GeneSiC Semiconductor pour MBR500200CT - GeneSiC Semiconductor.

PCN Obsolescence / EOL
DK OBS NOTICE.pdf
Feuilles de données
MBR500150CT thru MBR500200CTR.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
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