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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - tableauxMBR500100CT
GeneSiC Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MBR500100CT - GeneSiC Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
MBR500100CT
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-MBR500100CT
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE MODULE 100V 250A 2TOWER
Description détaillée
Emballage
Twin Tower
Fiche technique
MBR50045CT thru MBR500100CTR.pdf
État RoHS
Conforme à RoHS
En stock: 4250

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MBR500100CT
GeneSiC Semiconductor - MBR500100CT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à GeneSiC Semiconductor - MBR500100CT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant GeneSiC Semiconductor  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 880 mV @ 250 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 100 V  
La technologie Schottky  
Package composant fournisseur Twin Tower  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte Twin Tower  
Emballer Bulk  
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C  
Type de montage Chassis Mount  
Configuration diode 1 Pair Common Cathode  
Courant - fuite, inverse à Vr 1 mA @ 20 V  
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 250A  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de GeneSiC Semiconductor MBR500100CT

Attributs du produit MBR500100CT MBR41H100CT MBR50030CT MBR50020CT
Modèle de produit MBR500100CT MBR41H100CT MBR50030CT MBR50020CT
Fabricant GeneSiC Semiconductor onsemi GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor
Courant - fuite, inverse à Vr 1 mA @ 20 V 10 µA @ 100 V 1 mA @ 20 V 1 mA @ 20 V
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 250A 20A 250A 250A
Configuration diode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
La technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
Emballer Bulk Tube Bulk Bulk
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 880 mV @ 250 A 800 mV @ 20 A 750 mV @ 250 A 750 mV @ 250 A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C 175°C (Max) -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Type de montage Chassis Mount Through Hole Chassis Mount Chassis Mount
Package composant fournisseur Twin Tower TO-220 Twin Tower Twin Tower
Package / Boîte Twin Tower TO-220-3 Twin Tower Twin Tower
Tension - inverse (Vr) (max) 100 V 100 V 30 V 20 V
Séries - SWITCHMODE™ - -

Fiche technique MBR500100CT PDF

Téléchargez MBR500100CT PDF DataSheets et Documentation GeneSiC Semiconductor pour MBR500100CT - GeneSiC Semiconductor.

PCN Obsolescence / EOL
DK OBS NOTICE.pdf
Feuilles de données
MBR50045CT thru MBR500100CTR.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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