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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - Single1N3879
GeneSiC Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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Mode de paiement

1N3879 - GeneSiC Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
1N3879
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-1N3879
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE GEN PURP 50V 6A DO4
Emballage
DO-203AA, DO-4, Stud
Fiche technique
1N3879 thru 1N3883R.pdf
État RoHS
Conforme à RoHS
Notre certification
En stock: 6266

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques 1N3879
GeneSiC Semiconductor - 1N3879 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à GeneSiC Semiconductor - 1N3879

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant GeneSiC Semiconductor  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.4 V @ 6 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 50 V  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur DO-4  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 200 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte DO-203AA, DO-4, Stud  
Emballer Bulk  
Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 150°C  
Type de montage Chassis, Stud Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 15 µA @ 50 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 6A  
Capacité à Vr, F -  
Numéro de produit de base 1N3879  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de GeneSiC Semiconductor 1N3879

Attributs du produit 1N3879 1N3768R 1N3879R 1N3879
Modèle de produit 1N3879 1N3768R 1N3879R 1N3879
Fabricant GeneSiC Semiconductor Microchip Technology Microchip Technology Motorola
Emballer Bulk Bulk Bulk Bulk
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
La technologie Standard Standard, Reverse Polarity Standard, Reverse Polarity Standard
Numéro de produit de base 1N3879 1N3768 1N3879 -
Temps de recouvrement inverse (trr) 200 ns - 200 ns 200 ns
Package composant fournisseur DO-4 DO-203AB (DO-5) DO-4 (DO-203AA) DO-203AA (DO-4)
Séries - - - -
Courant - Rectifié moyenne (Io) 6A 35A 6A 6A
Courant - fuite, inverse à Vr 15 µA @ 50 V 10 µA @ 1000 V 15 µA @ 50 V 15 µA @ 50 V
Package / Boîte DO-203AA, DO-4, Stud DO-203AB, DO-5, Stud DO-203AA, DO-4, Stud DO-203AA, DO-4, Stud
Type de montage Chassis, Stud Mount Stud Mount Stud Mount Chassis, Stud Mount
Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 150°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 150°C
Tension - inverse (Vr) (max) 50 V 1000 V 50 V 50 V
Capacité à Vr, F - - 115pF @ 10V, 1MHz -
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.4 V @ 6 A 1.4 V @ 110 A 1.4 V @ 20 A 1.4 V @ 6 A

Fiche technique 1N3879 PDF

Téléchargez 1N3879 PDF DataSheets et Documentation GeneSiC Semiconductor pour 1N3879 - GeneSiC Semiconductor.

Feuilles de données
1N3879 thru 1N3883R.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
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