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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - Single1N3768
GeneSiC Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

1N3768 - GeneSiC Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
1N3768
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-1N3768
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE GEN PURP 1KV 35A DO5
Description détaillée
Emballage
DO-203AB, DO-5, Stud
Fiche technique
1N3765 thru 1N3768R.pdf
État RoHS
Conforme à RoHS
En stock: 6412

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques 1N3768
GeneSiC Semiconductor - 1N3768 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à GeneSiC Semiconductor - 1N3768

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant GeneSiC Semiconductor  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.2 V @ 35 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 1000 V  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur DO-5  
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Package / Boîte DO-203AB, DO-5, Stud  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 190°C  
Type de montage Chassis, Stud Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 10 µA @ 50 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 35A  
Capacité à Vr, F -  
Numéro de produit de base 1N3768  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de GeneSiC Semiconductor 1N3768

Attributs du produit 1N3768 1N3768R 1N3879 1N3879
Modèle de produit 1N3768 1N3768R 1N3879 1N3879
Fabricant GeneSiC Semiconductor Solid State Inc. Microchip Technology GeneSiC Semiconductor
Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 190°C -65°C ~ 200°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 150°C
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.2 V @ 35 A 1.19 V @ 90 A 1.4 V @ 20 A 1.4 V @ 6 A
Courant - Rectifié moyenne (Io) 35A 40A 6A 6A
Package / Boîte DO-203AB, DO-5, Stud DO-203AB, DO-5, Stud DO-203AA, DO-4, Stud DO-203AA, DO-4, Stud
Numéro de produit de base 1N3768 - 1N3879 1N3879
Tension - inverse (Vr) (max) 1000 V 1000 V 50 V 50 V
Courant - fuite, inverse à Vr 10 µA @ 50 V 10 µA @ 1000 V 15 µA @ 50 V 15 µA @ 50 V
La technologie Standard Standard, Reverse Polarity Standard Standard
Package composant fournisseur DO-5 DO-5 DO-4 (DO-203AA) DO-4
Séries - - - -
Capacité à Vr, F - - 115pF @ 10V, 1MHz -
Type de montage Chassis, Stud Mount Stud Mount Stud Mount Chassis, Stud Mount
Emballer Bulk Box Bulk Bulk

Fiche technique 1N3768 PDF

Téléchargez 1N3768 PDF DataSheets et Documentation GeneSiC Semiconductor pour 1N3768 - GeneSiC Semiconductor.

Feuilles de données
1N3765 thru 1N3768R.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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